Валентна зона

Вале́нтна зо́на — частина енергетичного спектра кристала, що утворюється за рахунок розщеплення рівнів валентних електронів окремих атомів при взаємодії цих валентних електронів між собою під час утворення кристала.

Усі енергетичні рівні у валентній зоні фізичної системи заповнені. Максимальне значення енергії валентного електрона називають енергією Фермі.

Валентна зона може бути як континуальною, так і розриватися на декілька менших підзон, проміжки між якими є забороненими значеннями енергії електронів у кристалі.

Під час збільшення температури у напівпровідниках частина електронів перестрибує з валентної зони у зону провідності, при цьому електронні енергетичні рівні у валентній зоні стають вільними. У хімічно чистих напівпровідниках частину власної провідності забезпечують безпосередньо електрони у зоні провідності, а іншу частину — електрони, які залишилися поблизу стелі валентної зони. Останні під дією зовнішнього електричного поля переходять на вільні енергетичні рівні у валентній зоні, а їхній рух можна розглядати як рух позитивно заряджених носіїв електричного заряду — дірок. Внесок дірок у загальну провідність напівпровідника менший, ніж електронів у зоні провідності.

Література

Ashcroft N. W., Mermin N. D. Solid State Physics. Philadelphia : Saunders College Publishing, 1976. 826 p.
Болеста І. М. Фізика твердого тіла. Львів : ВЦ Львівський національний університет імені Івана Франка, 2003. 480 с.
Kittel Ch. Introduction to Solid State Physics. 8th ed. Hoboken : John Wiley & Sons, 2004. 704 p.
Yu P., Cardona M. Fundamentals of Semiconductors: Physics and Materials Properties. 4th ed. Berlin : Springer, 2010. 778 p.
Фізика твердого тіла : у 2 ч. / Уклад.: В. М. Крамар, О. П. Кройтор. Чернівці : Рута, 2017.

Автор

Д. О. Кукуста

Покликання на цю статтю: Кукуста Д. О. Валентна зона // Велика українська енциклопедія. URL: https://vue.gov.ua/Валентна зона (дата звернення: 10.10.2026).

Статус гасла: Оприлюднено
Оприлюднено: 20.12.2023