Антисегнетоелектрики

Антисегнетоеле́ктрики (від анти… і сегнетоелектрики) — діелектрики, які не є сегнетоелектриками, але мають певну специфіку електричних властивостей.

Основна ознака антисегнетоелектриків — наявність структурного фазового переходу, що супроводжується значною аномалією діелектричної проникності.

Температура переходу зазвичай сильно залежить від електричного поля, тому перехід може здійснюватися під час накладання поля, а не внаслідок зміни температури кристала.

Під час переходу в антисегнетоелектрик спостерігається стрибкоподібна зміна поляризації Р при зміні поля Е, загалом залежність Р(Е) має вигляд так званої подвійної петлі гістерезису.

Типовими антисегнетоелектриками є PbZr₃, NH₄H₂PO₄, NaNbO₃, WO₃.

Література

Зачек І. Р., Левицький Р. Р. Статичні діелектричні, п’єзоелектричні та пружні властивості антисегнетоелектриків NH₄H₂PO₄ і NH₄H₂AsO₄ // Журнал фізичних досліджень. 2014. Т. 18. № 2–3. С. 27031–27037.
Bain A., Chand P. Ferroelectrics: Principles and Applications. Weinheim : Wiley-VCH, 2017. 328 p.

Автор ВУЕ

М. О. Вакуленко

Покликання на цю статтю: Антисегнетоелектрики // Велика українська енциклопедія. URL: https://vue.gov.ua/Антисегнетоелектрики (дата звернення: 11.10.2026).

Статус гасла: Оприлюднено
Оприлюднено: 01.07.2022